取舍MOS管的下一步是零碎的散热请求
须思忖两种没有同的状况，即最坏状况和实正在状况。提议采纳对准于最坏状况的打算后果，由于某个后果需要更大的保险余量，能确保零碎没有会生效。正在MOS管的材料表上再有一些需求留意的丈量数据；机件的结温等于最大条件量度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大条件量度+［热阻×功率耗散］）。依据某个式子可解出零碎的最大功率耗散，即按界说相同于I2×RDS（ON）。咱们已将要经过机件的最大直流电，能够打算出没有同量度下的RDS（ON）。此外，还要办好通路板
及其MOS管的散热。
山崩击穿是指半超导体机件上的反向电压超越最大值，并构成强磁场使机件内直流电增多。晶片分寸的增多会进步防风崩威力，最终进步机件的稳重性。因而取舍更大的封装件能够无效预防山崩。
