静电保护元器件,英文名称ESD(Electrostatic Discharge Protection Devices),又称瞬态电压抑制二极管阵列(TVS Array),是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特定功能的多路或单路ESD保护器件,主要应用于各类通信接口静电保护,比如USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、SD等接口中。下面跟着小编一起学习一下ESD静电保护元器件特点特性和参数详解吧!
一、ESD静电保护元器件特点特性
• 低电容,最低可达到零点几皮法;
• 快速响应时间:通常小于1.0PS;
• 体积小,小型化器件,节约PCB空间;
• 工作电压可以根据IC的工作电压设计,比如:2.8V、3.3V、5V、12V、15V等等;
• 灵活度高,可以根据应用需求设计电容、封装形式、浪涌承受能力等参数;
• 封装形式多样化,ESD封装有:QFN-0201、SOD-882、DFN1006-3L、SOT-523、SOD-523、QFN-10、SOD-123S、SOD-323、 SOT-23、SOT-143、SOT-363、SOT23-6L、SOIC-8、SOIC-16 等;
二、ESD静电保护元器件参数详解
• VRWM:反向截止电压、通俗地讲,就是ESD允许施加的最大工作电压,在该电压下ESD处于截止状态,此时ESD的漏电流很小,为几微安甚至更低。
• VBR:击穿电压,击穿电压是ESD要开始动作(雪崩击穿)的电压,一般在规定的电流下测量,通常在大小为1mA的 电流下测量。
• IR:反向漏电流,即在ESD器件两端施加VRWM电压下测得ESD的漏电流。
• IPP:峰值脉冲电流,一般采用8/20μs的波形测量。
• VC: 钳位电压,在给定大小的IPP下测得ESD两端的电压。大部分ESD产品VC与VBR及IPP成正比关系。
• C J:结电容,ESD的结电容与ESD的芯片面积、工作电压有关系。对于相同电压ESD产品,芯片面积越大结电容越大;对于相同芯片面积的ESD,工作电压越高结电容就越低。