静电保护元器件，英文名称ESD（Electrostatic Discharge Protection Devices），又称瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特定功能的多路或单路ESD保护器件，主要应用于各类通信接口静电保护，比如USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、SD等接口中。下面跟着小编一起学习一下ESD静电保护元器件特点特性和参数详解吧！

一、ESD静电保护元器件特点特性

• 低电容，最低可达到零点几皮法；

• 快速响应时间：通常小于1.0PS；

• 体积小，小型化器件，节约PCB空间；

• 工作电压可以根据IC的工作电压设计，比如：2.8V、3.3V、5V、12V、15V等等；

• 灵活度高，可以根据应用需求设计电容、封装形式、浪涌承受能力等参数；

• 封装形式多样化，ESD封装有：QFN-0201、SOD-882、DFN1006-3L、SOT-523、SOD-523、QFN-10、SOD-123S、SOD-323、 SOT-23、SOT-143、SOT-363、SOT23-6L、SOIC-8、SOIC-16 等；

二、ESD静电保护元器件参数详解

• VRWM：反向截止电压、通俗地讲，就是ESD允许施加的最大工作电压，在该电压下ESD处于截止状态，此时ESD的漏电流很小，为几微安甚至更低。

• VBR：击穿电压，击穿电压是ESD要开始动作（雪崩击穿）的电压，一般在规定的电流下测量，通常在大小为1mA的 电流下测量。

• IR：反向漏电流，即在ESD器件两端施加VRWM电压下测得ESD的漏电流。

• IPP：峰值脉冲电流，一般采用8/20μs的波形测量。

• VC： 钳位电压，在给定大小的IPP下测得ESD两端的电压。大部分ESD产品VC与VBR及IPP成正比关系。

• C J：结电容，ESD的结电容与ESD的芯片面积、工作电压有关系。对于相同电压ESD产品，芯片面积越大结电容越大；对于相同芯片面积的ESD，工作电压越高结电容就越低。